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          多弧離子鍍膜機的工藝要求

              多弧離子鍍膜機主要是通過用多個金屬蒸發(fā)源來作為其陰極,并且通過和陽極之間產(chǎn)生弧光放電,這時靶材蒸發(fā)粒子在離化之后與進到工作室內(nèi)的氣體發(fā)生反應(yīng),從而使生產(chǎn)的化合物沉淀在被鍍膜基材的表面上形成膜。在鍍膜的過程中,真空壓強、弧源偏壓和電流、通入的氣體的流量以及真空的溫度等都要求非常精準的設(shè)定和控制,其整個工藝的流程主要由予抽真空、真空工作、轟擊和濺射、鍍膜以及出爐等幾大部分所構(gòu)成,具體的流程如下所述:
              開始-檢查儀器儀表-擴散泵預(yù)熱-裝零件,關(guān)爐門-抽真空到設(shè)定壓力P1-充入氣體到設(shè)定壓力P2-工件轉(zhuǎn)動,根據(jù)設(shè)定轟擊方式及次數(shù)完成轟擊-設(shè)定濕度,鍍膜偏壓-鍍膜壓力到設(shè)定值P3-根據(jù)設(shè)定流量放入氣體B-逐級加偏壓鍍膜一定時間-出爐。

          多弧離子鍍膜機針對物件表面處理

          CCZK-ION多弧離子真空鍍膜機

          CCZK-ION多弧離子真空鍍膜機


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